Dalam fabrikasi mikro, oksidasi termal adalah cara untuk menghasilkan lapisan tipis oksida pada permukaan wafer. Teknik ini memaksa zat pengoksidasi berdifusi ke dalam wafer pada suhu tinggi dan bereaksi dengannya. Laju pertumbuhan oksida sering diprediksi dengan model Deal–Grove. Oksidasi termal dapat diterapkan pada bahan yang berbeda, tetapi paling sering melibatkan oksidasi substrat silikon untuk menghasilkan silikon dioksida.
Sumber: Lihat artikel asli di Wikipedia
Dalam fabrikasi mikro, oksidasi termal adalah cara untuk menghasilkan lapisan tipis oksida (biasanya silikon dioksida) pada permukaan wafer. Teknik ini memaksa zat pengoksidasi berdifusi ke dalam wafer pada suhu tinggi dan bereaksi dengannya. Laju pertumbuhan oksida sering diprediksi dengan model Deal–Grove. Oksidasi termal dapat diterapkan pada bahan yang berbeda, tetapi paling sering melibatkan oksidasi substrat silikon untuk menghasilkan silikon dioksida.[1][2]
