Galium indium arsenida antimonida fosfida

Galium indium arsenida antimonida fosfida (Ga In As Sb P atau GaInPAsSb) adalah sebuah bahan semikonduktor.

Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengah^[1]^[2] dan sel termofotovoltaik.^[3]

Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga_0,92In_0,08P_0,05As_0,08Sb_0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.^[2]

Lihat pula

Referensi

↑ Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007) DOI:10.1063/1.2741147
1 2 Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002) DOI:10.1134/1.1500478
↑ Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011) DOI:10.1016/j.solmat.2010.08.036

Senyawa Indium

Indium(I)

InBr
InCl

Senyawa Organoindium(I)	[In(C₅H₅)]

Indium(III)

Senyawa Organoindium(III)	In(C In(C₂H₅)₃ In(CH₃)₃

Rumus kimia

Artikel bertopik fisika benda terkondensasi ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya.

[Krier2007-1] Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007) DOI:10.1063/1.2741147

[Aidar2002-2] 1 2 Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002) DOI:10.1134/1.1500478

[3] Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011) DOI:10.1016/j.solmat.2010.08.036

[1]

[2]

[3]

l b s Senyawa arsen
Arsen anorganik	AsBr₃ AsCl₃ AsCl₅ AsF₃ AsF₅ AsH₃ AsHgI₄ AsI₃ As₂O₃ As₂O₅ As₂S₃ As₂S₅ As₂Se₃ As₄S₄
Organoarsen	C C (CH C (CH

l b s Senyawa arsen
Arsen anorganik	AsBr₃ AsCl₃ AsCl₅ AsF₃ AsF₅ AsH₃ AsHgI₄ AsI₃ As₂O₃ As₂O₅ As₂S₃ As₂S₅ As₂Se₃ As₄S₄
Organoarsen	C C (CH C (CH

Galium indium arsenida antimonida fosfida

Lihat pula

Referensi

Bagikan artikel ini

Galium indium arsenida antimonida fosfida

Lihat pula

Referensi

Bagikan artikel ini

l b s Senyawa galium
GaAs GaBr₃ GaCl₃ GaF₃ GaI₃ GaN Ga(OH)₃ Ga(NO₃)₃ Ga(C₅H₇O₂)₃ GaP GaS GaSb GaSe GaTe Ga₂O Ga₂O₃ Ga₂S₃ Ga₂Se₃ Ga₂Te₃
Rumus kimia

l b s Senyawa antimon
SbBr₃ Sb(C₂H₃O₂)₃ SbCl₃ SbCl₅ SbF₃ SbF₅ SbH₃ SbI₃ Sb₂O₃ Sb₂O₄ Sb₂O₅ Sb₂S₅ Sb₂(SO₄)₃ Sb₂Se₃ Sb₂Te₃
Rumus kimia